晶振的电容如何选取和计算？听听高工怎么说

本文是论坛里一个高工作的一次实验，这次对于晶振电容的算去和计算，不仅具有理论性，还具有实操性。可以帮助大家解决不少问题。

今天要做晶振的second source，把晶振焊上去后发现普遍比较低，要求是 25M +/-20ppm ，就是说偏差不超过 500Hz ，但是测量三片，只有一片合格，其他两片均偏小几百赫兹。查了数据手册得知实际频率和标称频率之间的关系：

Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2)

而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容， Cg 和 Cd为我们外部加的两个电容，通常大家取值相等，它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容 CL.

具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，

我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现 CL 改变 1pF,Fx可以改变几百Hz 。

原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有 27pF,33pF， 39pF,所以我们选用了27pF 和 39pF并联，则电容为15.95pF 。电容焊好后，测量比原来大了 200 多赫兹，落在了设计范围内。

结论：晶振电路上的两个电容可以不相等，通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率，不过如果你测了几片晶振，频率有大有小，而且偏移较大，那么这个晶振就是不合格的。