第1种晶振电路图：
　　如图所示，它是一个简单的 晶振电路图，由A1的三个栅极，四个电阻，调谐电容器和一个晶体组成。在图中，A1和晶体谐振器SJT以及电容器构成4069 kHz的方波信号。将开关设置为1点，然后将其发送到A2。将A2除以2后，可获得2048kHz振荡信号。开关放置在3点处并发送到A3。将A2除以2后，即可获得128kHz振荡信号。调谐电容器C1和C2可以将频率精确地调谐到中心频率。晶体SJT连接在A1的输入和输出端子之间，以晶体的基频提供反馈环路。

在图中，A1和晶体谐振器SJT以及电容器构成4069 kHz的方波信号。将开关设置为1点，然后将其发送到A2。将A2除以2后，可获得2048kHz振荡信号。开关放置在3点处并发送到A3。将A2除以2后，即可获得128kHz振荡信号。调谐电容器C1和C2可以将频率精确地调谐到中心频率。

                                                                           晶振电路图(1)

　　晶体SJT连接在A1的输入和输出端子之间，以提供一个反馈环路，该反馈环路会在晶体的基频上产生振荡。

　　第2种晶振电路图：

　　极管TV2执行信号放大并且通过电容器C8耦合出。其中，电阻器RI，R2以及电阻器R5，R6和R7是晶体管VT1和VT2的DC偏置元件。L2是高频扼流圈，可为振荡管VT1的集电极电流提供直流路径。C2是隔直电容。C3和C7是交流旁路电容器，因此VT1的发射极处于交流零电位，但直流电位不为零。电感器L1，电容器C6和电阻器R3是改进的电源滤波器电路，其作用是降低纹波电压以振荡直流分量。电容器C4和C8可以略微调节以改变耦合信号的大小。

　　                                                                                         晶振电路图(2)

　　1.组件小号选

　　电容器C1为20p，C2为100p，C3和C7为820p，C4为56p，C5和C8为47p，C6为47u / 50V。电感L1为22 uH(色码电感)，L2为0.3 uH。电阻R1为1.6kΩ，R2为1kΩ，R3为750Ω，R4为180Ω，1W，R5为1.3kΩ，R6为3kΩ，R7为360Ω，R8为470Ω，R9-R12为300Ω，2W。晶体管VT1，VT2选择3DG82B，65≤β≤115。晶体SJT使用JA9B型-70MHz。继电器KM是JUC-1M。

　　2. 注意事项

　　(1)使用石英晶体时，必须注意一个实际问题。这是晶体本身的激发功率。当激励功率大时，输出功率也大。此时，晶体管引入的噪声没有受到很大的影响。但是，过多的晶体激发功率会降低晶体的长期稳定性(老化特性)。当晶体激发功率较小时，长期稳定性良好，但是优选使用低噪声晶体三极管。

　　(2)由于晶体频率受温度的影响很大，为了确保晶体频率的稳定性，有必要注意晶体的恒温。将晶体放置在恒温浴中，并且通过恒温控制电路维持恒温浴中的温度以维持晶体的拐点温度。因此，为了稳定振荡频率和振荡幅度，将晶体SJT和VT1，VT2放置在培养箱中。孵化器由R9-R12的四个2W金属膜电阻器加热，并使用小型密封温度继电器KM作为温度控制元件。盒子内部的温度为+55°C(所用晶体的拐点温度通常为+60±5°C)。为了减小培养箱的体积，回路中的组件应尽可能小。如果包装箱内的温度高于+55°C，则KM-1.2触点断开;如果≤+55°C，则KM-1.2触点闭合，以确保箱内温度设置为+55°C。

第3种晶振电路图：

  
　　                                             晶振电路图(3)

　　该电路在100kHz至5MHz的频率范围内振荡。工作特性取决于电源电阻。可以使用微调电容器来调节频率。输出电阻很高，其后是源极跟随器作为隔离器以支持该缺点。

　　第4种晶振电路图：

　　这个简单且便宜的晶体振荡器由74LS04的两个门和外围组件组成。

　　                                                             晶振电路图(4)

　　电阻器R1和R2在线性范围内对两个反相器F1，F2进行偏置，并提供一个来自晶体SJT的反馈环路，该环路在晶体的基频上产生20MHz的振荡频率，然后由反相器F3发送至74LS74。构造的D型触发器被分割。要执行两路或四路，八路等操作，您需要遵循2n分频规则(n是级数)。n = 1，则分频为21 = 2，即A1 =分频电路后为20MHz，Q1输出10MHz;如果是四分频，n = 2，则22 = 4的分频，即20MHz被A1和A2分频。电路后，Q2输出5MHz;如果将频率除以三，则当f的第三个脉冲结束时，Q1 = 1，Q2 = 1，则Q1 = 0，Q2 = 0，或者非门HF1的输出为1，至R端子重置，将Q1和Q2复位为00。将A1和A2除以3后，Q2输出约为6.7MHz。如果将频率除以5，则当计数为5时，Q1Q2Q3 = 101，即Q1 = 0。Q3 = 0，或非门HF2的输出为1，并且Q1，Q2和Q3重置为000。结果，Q3输出4MHz频率。

　　显然，输出状态由D决定，输出状态的翻转由CP控制，CP可以生成适合其需求的各种频率。

　　第5种晶振电路图：

使用运算放大器的晶振电路图。该电路使用输出脉冲频率高达10MHz的761运算放大器。2kΩ电阻用作运放输出级的集电极开路负载。

　　                                                          晶振电路图(5)

　　第6种晶振电路图：

带有晶振的无线电电路。该电路频率可以为27MHz。中频为455kHz。为了增加接收功率，此处使用场效应晶体管前级。

                                   

                                                                 晶振电路图(6)

第7种晶振电路图：

　　频率高达4.000MHz的石英晶体振荡器电路。图(a)和(b)显示了两个4.000MHz振荡器基本电路。根据电路结构，可以通过测试调整来确定最佳工作点。

　　                                           晶振电路图(7)

　　第8种晶振电路图：

　　场效应晶体瞥晶振电路图。该振荡器以51.000MHz(17MHz 3次谐波)晶体工作。根据结构的不同，漏极至栅极的电容可以选择为0.5至1.8 pF。L2参数约为L1的20%。可以通过470Ω的源电阻来改变振荡特性。

　　                                                        晶振电路图(8)

　　第9种晶振电路图：

　　使用NAND门的30MHs晶振电路图。该电路由TTL集成电路(745000)组成。使用石英晶体频率的三次谐波操作。精确选择47pF电容器(10-100pF)可以保证振荡性能。输出电压约为3.5V(峰峰值)。

　　                                                        晶振电路图(9)

　　第10种晶振电路图：

　　使用与非门的晶振电路图。该电路使用两个7400TTL NAND门，其振荡频率高达10MHz。必须小心地将两个820Ω电阻调谐到选定的振荡频率。

　　                                                                      晶振电路图(10)

　　以上是科琪科技工程师给大家分享的10种常见晶振电路图，对于不同类型的 晶振电路图有不同的接法;如果您遇到以上这些电路问题可以进行参考，如需要进一步了解可以可以联系我司，我司安装专业工程师对接，联系电话：0755-23063492